DMG4N60SK3-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMG4N60SK3-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 48W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 532 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMG4 |
DMG4N60SK3-13 Einzelheiten PDF [English] | DMG4N60SK3-13 PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() DMG4N60SK3-13Diodes Incorporated |
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Zielpreis (USD)
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